日台協同
日本の装置設計と台湾の加工・評価資源を、案件ごとに組み合わせます。
日台の専門性を、開発の実行力へ。
光・機・電・材料の統合
光場制御、精密位置決め、材料・プロセスを一つの装置構成として設計します。
PoCから移管まで
試作・評価を段階化し、結果に基づいて装置展開・技術移管を判断します。
4つのコア技術プラットフォーム
用途、装置構成、評価項目から、共同開発の範囲を選ぶ。
MetaFab
メタレンズ製造開発・R-to-R展開
Smart Glasses / 撮像光学 / 車載センシング
SM150のウェーハ検証から、将来の連続製造へ。
技術内容・成果物
材料・露光・エッチング・光学評価を統合。R-to-Rは柔軟基板と複製材料を別途検証します。
成果物例
装置構成案 / 工程仕様 / 光学・欠陥評価
SM150仕様・検証ゲート
150 mm Sapphire / TiO₂。400–700 nm消色差、Ø5・Ø8・Ø10 mm、550 nmで像側NA 1.3は開発目標です。NAは背面浸没介質中で定義します。
材料n・k、膜厚、応力 → 試験構造・露光校正・エッチング → 共通焦点面でのPSF・Strehl比・集光効率 → ウェーハマップと単個化後の再評価。
膜層n≈2.6（550 nm）と0.5 µm級の初期工程は目標・初期条件です。最終構造寸法は実測で決定。小口径から段階評価し、統合仕様を検証します。
単層で成立しない場合は多層・ハイブリッド光学を別版として検討。SM150第一代方案 Rev A（2026年10月2日）に基づく開発計画です。
Meta-Optics：材料からシステムへ
TiO₂薄膜・基板 → ナノ構造形成 → メタレンズ → CIS / SPADとの光学統合 → モジュール評価。センサーとASICは連携候補であり、供給や製品化を確約するものではありません。
構造・工程の設計候補
TiO₂ナノ柱とサファイア基板を基本案とし、柱形状・高さ・径・ピッチは電磁場解析、実測n・k、加工限界から決定します。資料の高さ0.6–1.5 µm、径50–400 nm、ピッチ100–500 nmは探索範囲であり、確定仕様ではありません。
ウェーハ検証とR-to-Rを分けて開発
第一段階は150 mmサファイア上の成膜・マスクレス露光・乾式エッチング・単個化を検証。R-to-Rでは柔軟基板、複製材料、転写・位置合わせ、張力・熱管理を別途評価します。硬質ウェーハの切断だけでは連続製造の実証になりません。
評価する成果
波長別の焦点位置・PSF・集光効率、構造寸法と欠陥分布、クラック、加工速度、良品率を共通条件で測定。速度は面積/時間、良品率は判定条件と母数を併記します。
応用の検討範囲
AR/MR、可視域の撮像、CIS・SPADセンシングを検討。LiDARは使用波長・光源・受光器に応じた別設計が必要です。400–700 nmの設計を近赤外用途へそのまま適用しません。
掲載内容は開発構想・設計候補です。量産速度、効率、原価、売上・利益は試作と顧客検証後に評価します。
Maskless Lithography
マスクレス露光装置
半導体PoC / MEMS・センサー / RDL
光学・位置決め・レジストを同時に設計。
技術内容・成果物
LCoS-SLM光場制御と高精度ステージを組み合わせ、描画線幅・位置合わせ・露光均一性を評価します。
成果物例
光学・ステージ構成 / 露光・現像の評価計画
Laser Dicing
レーザー内部改質・ダイシング
ウェーハ / MEMS / ガラス・光学部材
分離品質と加工条件を、材料から見極める。
技術内容・成果物
光源・集光深さ・改質層・位置決めを統合。欠け、微小クラック、加工速度を試加工で評価します。
成果物例
加工構成案 / 試加工計画 / 分離品質評価
SPAD Photon Sensing
SPAD光子センシング
低照度撮像 / LiDAR・ToF / 産業計測
感度と時間分解能を、検証できる仕様へ。
技術内容・成果物
DCR・PDE・時間ジッタ・クロストークを評価軸に、テストチップと読出し・実装構成を検討。試作経路は個別に確認します。
成果物例
要求仕様 / テストチップ検証計画 / 読出し構成
クラック
単個化前後の欠陥
速度
工程タクト・搬送条件
精度
構造寸法・位置合わせ
歩留まり
工程別・最終検査
関連する技術支援
CIP：工程解析・改善方針。機能部材：セラミックヒーター・ガラス加工。熱マネジメント：接合・熱的整合性、酸化ガリウムと多結晶ダイヤモンド放熱構造の研究。
測定結果で、次の段階を決める。
- 01
要求・PoCの範囲を定義
用途、材料、光学指標と評価基準を確認。費用・納期・成果物を合意します。
要求仕様・検証計画 - 02
装置構成を設計・試作
光・機・電・材料を統合し、担当範囲と試作・測定方法を具体化します。
構成案・初号機評価 - 03
実機検証・技術移管
要求との差を評価し、結果に応じて装置複製・工程移管・ライセンス条件を協議します。
評価報告・次段階の合意
CTO / TECHNICAL LEAD
根本 慧一
装置システムの構想から、コア技術の開発・統合までを統括。
光学と半導体装置を、同じ視点で。
研究開発の背景
AISTつくば研究拠点に関連する技術研究開発の経験。現在の所属や機関による推奨を示すものではありません。
半導体前工程・CIP
Etch・CVD・PVD・RTPの開発・システム統合とプロセス改善。
光学・レーザー・精密制御
光配線、ビーム整形、超短パルスレーザー、高精度モーション制御。開発領域：MetaFab、ABSE™、LCoS-SLM、AIフォトニクス製造基盤。
共同開発のご質問
標準装置やSPADチップを購入できますか？
当社は技術開発・装置統合のパートナーです。要求に応じた共同開発・PoCを進め、目標を確認した段階で装置展開・技術移管を協議します。費用と納期は案件ごとに定めます。
共同開発と知的財産の条件は？
段階ごとの成果物・判定基準を設定します。機密資料の共有前にNDAを協議・締結し、既存知財、開発成果、利用・移管の権利を契約で定めます。
初回相談では何を伝えればよいですか？
用途、対象材料、必要な性能と開発段階をお知らせください。仕様が未確定でも、課題と希望する成果物から整理します。初回フォームに機密情報を記入する必要はありません。
次の装置開発を、ここから。
用途と課題を共有し、技術実現性と協業の範囲を整理する。
個人情報の取り扱い
取得情報は当社が相談受付と回答、関連する連絡のために保存・利用します。営業目的の第三者提供は行いません。照会・訂正・削除のご相談はnemoto@tohoruby.comまで。NDAはフォーム送信だけで成立しません。